4 KB Random Read310000 IOPS4 KB Random Write340000 IOPSBreite22 mmEnergieverbrauch80 mW (aktiv), 25 mW (Leerlauf)FormfaktorM.2 2280HardwareverschlüsselungJaInterner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben)Kapazität2 TBKompatibles SchaltfeldM.2 2280Max. Betriebstemperatur70 °CMin Betriebstemperatur0 °CMTBF1,600,000 StundenNAND-Flash-Speichertyp3D Quad-Level Cell (QLC)Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^15ProduktartSolid State Drive - internSchnittstellePCIe 3.0 x4 (NVMe)Schnittstellen1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Schocktoleranz (in Betrieb)1000 g @, 0,5 msSchocktoleranz (nicht in Betrieb)1000 g @, 0,5 msSSD-Leistung740 TBTiefe80 mmVerpackungRetailVerschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AESVibrationstoleranz (in Betrieb)2.17 g @, 5-700 HzVibrationstoleranz (nicht in Betrieb)3.13 g @, 5-800 Hz